背照式CMOS，即 Back-illuminated CMOS（缩写为BI CMOS）或 BackSide Illumination CMOS（缩写为BSI CMOS），是一种 将电路层置于光电二极管之后的CMOS图像传感器结构。这种设计的主要优势在于 极大提高了光线利用率，显著改善了传感器的灵敏度，尤其是在低光照条件下的成像质量。

具体来说，在传统的前照式CMOS传感器中，感光二极管位于电路晶体管的前方，光线首先照射到感光二极管上，然后穿过电路层到达光电二极管。这种结构在光线穿过电路层的过程中可能会受到遮挡，从而影响成像质量。而背照式CMOS则将感光二极管和电路层的相对位置调换，使光线首先进入感光二极管，从而增大了感光量，提高了低光照条件下的拍摄效果。

背照式CMOS传感器的优点包括：

更高的宽容度：

高光部分不容易溢出，低光部分不容易欠曝。

更快的数据吞吐率：

通常支持高速连拍和全高清视频拍摄。

更佳的低光照成像能力：

在高感光度下的成像表现大大优于传统产品。

微透镜性能提升：

传感器上的微透镜性能更为出色。

背照式CMOS技术自2002年索尼启动研发项目，并于2009年成功量产，成为全球性的突破。索尼的Exmor R CMOS是背照式CMOS的一个典型代表，广泛应用于包括iPhone、三星Galaxy系列在内的多款高端摄影设备。