碳化硅和多晶硅 不一样，它们在多个方面存在显著差异：

化学组成

碳化硅（SiC）是一种化合物，由硅（Si）和碳（C）元素通过共价键连接而成。

多晶硅（Polycrystalline Silicon，简称Poly-Si）是由许多小的硅晶体（晶粒）拼接而成，这些晶粒的大小和排列方式各不相同。

晶体结构

碳化硅可以形成多晶体结构，也可以形成单晶体结构。多晶体碳化硅由许多小晶体拼接而成，晶粒大小不一，具有多种晶面和晶界，物理和电学性质较为均匀。单晶体碳化硅则是由一个完整的晶体生长而成，晶粒大小均匀，晶面和晶界较少，性能更加稳定。

多晶硅的晶粒通常较大且不规则，而单晶硅的晶粒则较为规整，类似于单晶宝石的结构。

应用领域

碳化硅由于其高强度、高硬度和低热导率等优点，广泛应用于高温、高压、高化学腐蚀等环境下的应用，如高功率电子器件、磨料磨具、冶金脱氧剂和耐高温材料等。

多晶硅主要用于太阳能光伏产业，用于制造太阳能电池板。由于其成本较低，多晶硅电池板在光伏发电市场中占有重要地位。此外，多晶硅也用于制造半导体器件和压电晶体等。

物理和电学性质

碳化硅具有高硬度、高强度和高熔点，同时具有较低的热膨胀系数和良好的化学稳定性。

多晶硅的物理和电学性质不如单晶硅稳定，但由于其成本较低，多晶硅在太阳能电池板中的应用仍然广泛。

综上所述，碳化硅和多晶硅在化学组成、晶体结构、应用领域以及物理和电学性质等方面都存在明显的差异。碳化硅是一种化合物，可以形成多晶体或单晶体结构，而多晶硅是由许多小硅晶体拼接而成的多晶体结构，主要用于太阳能光伏产业。