内存的延迟（latency）通常以时钟周期数（CL值）来表示， 时序越低，内存的性能就越好。这是因为较低的时序意味着内存完成某个操作所需的时钟周期数更少，从而提高了内存的响应速度和数据传输效率。

具体来说，内存的时序包括CAS延迟（CL）、tRCD（RAS to CAS Delay）、tRP（CAS to Read/Write Delay）和tRAS（RAS Active to Precharge Delay）等参数。这些参数共同决定了内存的整体性能。在选择内存时，除了关注频率之外，时序也是一个非常重要的考量因素。

然而，需要注意的是，内存的延迟并不是唯一影响性能的因素。内存的容量、CPU与内存的协同作用以及主板的支持情况等因素也会对系统性能产生影响。因此，在选择内存时，需要综合考虑这些因素，以获得最佳的系统性能。

总的来说， 内存的延迟越低越好，但也要结合具体的使用场景和系统需求来进行选择。