NCE4435是一款由 新洁能公司生产的 P通道增强模式电源MOSFET。它采用前沿的沟槽技术，具有极低的RDS（ON）性能，同时保持低栅极电荷，使得操作电压低至4.5V。这款芯片适用于需要高功率密度和低功耗的应用，如液晶电源、电池管理系统等。NCE4435的主要参数包括：

漏源电压 （VDS）: -30V

漏极电流 （ID）: -9.1A

栅极阈值电压 （VGS（th））: -4.5V

栅极电荷 （Q_g）： 低

导通电阻 （RDS（ON））: < 35mΩ @ VGS=-4.5V 和 RDS（ON）< 20mΩ @ VGS=0V

NCE4435采用SOP8封装，适用于各种高集成度和低功耗的应用场景。